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Synthèse et propriétés de monocristaux, de poudres, films minces ou hétérostructures

Etudes à l'interface avec la matière biologique

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Publication de Maxime & Thuy en 2018

Publié le 6 juin 2018
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Communiqué du 16 mai 2018 au 24 mai 2018

Le papier "An innovative large scale integration of silicon nanowire-based field effect transistors" a été publié dans Solid-State Electronics

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Ici  vous trouverez le papier de Maxime Legallais  ey Tuy Nguyen.
"ISince the early 2000s, silicon nanowire field effect transistors are emerging as ultrasensitive biosensors while offering label-free, portable and rapid detection. Nevertheless, their large scale production remains an ongoing challenge due to time consuming, complex and costly technology. In order to bypass these issues, we report here on the first integration of silicon nanowire networks, called nanonet, into long channel field effect transistors using standard microelectronic process. A special attention is paid to the silicidation of the contacts which involved a large number of SiNWs. The electrical characteristics of these FETs constituted by randomly oriented silicon nanowires are also studied. Compatible integration on the back-end of CMOS readout and promising electrical performances open new opportunities for sensing applications."


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Rédigé par Maria Carmen Jimenez Arevalo

mise à jour le 6 juin 2018

  • Tutelle CNRS
  • Tutelle Grenoble INP
Communauté Université Grenoble Alpes