Paper by Didier Chaussende 2017
Published on September 11, 2017
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail
Communique
from July 12, 2017 to July 20, 2017
The paper "A new model for in situ nitrogen incorporation into 4H-SiC during epitaxy" has been published in Scientific Reports
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail
Date of update September 11, 2017