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Synthèse et propriétés de monocristaux, de poudres, films minces ou hétérostructures

Etudes à l'interface avec la matière biologique

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LMGP Seminar : H. Renevier - Using synchrotron radiation for studying nanostructures/nanomaterials

Publié le 22 octobre 2013
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16 décembre 2013
LMGP (UMR 5628 CNRS / Grenoble INP)
3 parvis Louis Néel - 38000 Grenoble

Accès : TRAM B arrêt Cité internationale

Free entrance - No registration 
Renevier.jpg

Renevier.jpg

Pr. Hubert Renevier
 
LMGP, UMR CNRS 5628, Grenoble INP - Phelma,

Exemples d'utilisation du rayonnement synchrotron pour l'étude de matériaux nanostructurés
Using synchrotron radiation for studying nanostructures/nanomaterials


Abstract
La caractérisation structurale des nanomatériaux, ex situ et in situ en cours de croissance, est nécessaire à la compréhension des propriétés électroniques, opto-électroniques, physico-chimiques et des mécanismes de croissance. La diffusion/diffraction et l'absorption des RX restent des techniques de choix pour la détermination des déformations, de la composition, de la polarité, de l'ordre à courte distance, de la morphologie, ... et pour l'étude des propriétés structurales in situ, in operando. Ces techniques bénéficient de la brillance du rayonnement synchrotron de 3ème génération et de la possibilité de choisir l'énergie et la polarisation du faisceau incident (entre autres). Nous donnerons des résultats d'études d'assemblées de nanomatériaux. Nous prendrons comme exemples des boîtes quantiques GeSi/Si [1] et des hétérostructures nitrures (couches minces, nanofils, nanofils coeur-coquille) [2,3]. Nous montrerons l'intérêt de coupler à la fois la diffraction anomale (ou résonante), la spectroscopie X en condition de diffraction, l'absorption X et les calculs de structures ab initio [4,5]. Nous montrerons également des résultats préliminaires de l'étude par diffusion aux petits angles et par diffraction, en incidence rasante, de la croissance en phase liquide de nanofils ZnO.

Références
  1. N.A. Katcho et al. Europhys. Lett. 93, (2011), 66004.
  2. C. Leclere et al., J. Appl. Phys., submitted.
  3. V. Favre-Nicolin et al., Eur. Phys. J. Special Topics 208, (2012), 189.
  4. H. Renevier and M.G. Proietti, in Characterization of Semiconductor Heterostructures and Nanostructures II, G. Agostini, C.E. Lamberti (Eds.), Elsevier, Amsterdam, The Netherlands, (2013). Chapter 8.
  5. C. Leclere et al. J. Appl. Phys. 113, (2013), 034311.

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mise à jour le 12 décembre 2013

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Univ. Grenoble Alpes