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Synthèse et propriétés de monocristaux, de poudres, films minces ou hétérostructures

Etudes à l'interface avec la matière biologique

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Nouvelle publication XTO Eirini Sarigiannidou

Publié le 17 mars 2017
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Communiqué 1 janvier 2015

Le papier "Al4SiC4 wurtzite crystal: Structural, optoelectronic, elastic, and piezoelectric properties" est apparu dans APL Materials

Al4siC4.PNG

Al4siC4.PNG

Vous trouverez ici l'article d'Eirini Sarigiannidou. Voici l'abstract:
"New experimental results supported by theoretical analyses are proposed for aluminum silicon carbide (Al4SiC4). A state of the art implementation of the density   functional theory is used to analyze the experimental crystal structure, the Born  charges, the elastic properties, and the piezoelectric properties. The Born charge tensor is correlated to the local bonding environment for each atom. The electronic band  structure is computed including self-consistent many-body corrections. Al4SiC4 material properties are compared to other wide band gap wurtzite materials. From a comparison between an ellipsometry study of the optical properties and theoretical results, we conclude that the Al4SiC4 material has indirect and direct band gap energies of about 2.5 eV and 3.2 eV, respectively."



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mise à jour le 17 mars 2017

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